收藏本站
NTD4959NH
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
2000
1500
C iss
T J = 25 ° C
12
10
Q T
V GS
8
1000
6
500
0
0
5
10
C oss
C rss
15
20
25
30
4
2
0
0
Q gs
5
Q gd
V DD = 15 V
0 V ≤ V GS ≤ 11.5 V
I D = 30 A
T J = 25 ° C
10 15 20 25
30
DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source Voltage
vs. Total Charge
100
10
t r
t d(off)
30
25
20
15
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
t d(on)
10
1
1
t f
10
V DD = 15 V
I D = 30 A
V GS = 11.5 V
100
5
0
0.5
0.6 0.7
0.8 0.9
1.0
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 9. Resistive Switching Time
Variation vs. Gate Resistance
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
1000
100
10
V GS = 20 V
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
10 m s
100 m s
1 ms
120
100
80
60
40
I D = 15 A
1
0.1
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
1
10
10 ms
dc
100
20
0
25
50 75
100 125
150
175
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
5
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy vs.
Starting Junction Temperature
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
NTD4960NT4G MOSFET N-CH 30V 11.1A DPAK
NTD4965NT4G MOSFET N-CH 30V 68A DPAK
NTD4970N-35G MOSFET N-CH 30V 38A IPAK
NTD50N03RT4G MOSFET N-CH 25V 7.8A DPAK
NTD5413NT4G MOSFET N-CH 60V 30A DPAK
NTD5414NT4G MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
NTD5802NT4G MOSFET N-CH 40V 16.4A DPAK
NTD5803NT4G MOSFET N-CH 40V 76A DPAK
相关代理商/技术参数
NTD4960N 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 55 A, Single N−Channel, DPAK/IPAK
NTD4960N-1G 功能描述:MOSFET NFET IPAK 30V 55A 8mOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD4960N-35G 功能描述:MOSFET NFET DPAK 30V 55A 8mOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD4960NT4G 功能描述:MOSFET NFET DPAK 30V 55A 8mOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD4963N 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 44 A, Single N−Channel, DPAK/IPAK
NTD4963N-1G 功能描述:MOSFET NFET IPAK 30V 44A 9.6MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD4963N-35G 功能描述:MOSFET NFET DPAK 30V 44A 9.6MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD4963NT4G 功能描述:MOSFET NFET DPAK 30V 44A 9.6MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube